溅射工艺属于物理气相沉积（PVD）技术的一种，是制备电子薄膜材料的主要技术之一。在电子信息产业的发展过程中，金属薄膜的制备十分重要。溅射工艺利用离子源产生的离子，在真空中加速聚集成高速离子流，轰击固体表面，离子和固体表面的原子发生动能交换，使固体表面的原子离开靶材并沉积在基材表面，从而形成纳米（或微米）薄膜。被轰击的固体是溅射法沉积薄膜的原材料，称为溅射靶材。靶材质量的好坏对薄膜的性能起着至关重要的决定作用，因此，靶材是溅射过程的关键材料。

半导体靶材是晶圆制造重要的原材料， 主要以铜靶、铝靶、钛靶和钽靶等为主。 半导体芯片行业历经半个世纪，目前仍遵循着“摩尔定律”向前发展。在晶圆制造方面，芯片尺寸不断减小（目前主流 28 纳米以下），同时晶圆尺寸不断增大以进一步降低成本（目前 12 英寸是主流）。在集成电路领域主要应用在晶圆制造和先进封装过程中。为了满足半导体芯片高精度、小尺寸的需求，芯片制造对溅射靶材纯度要求很高，通常需达 99.9995%（5N5）甚至 99.9999%（6N）以上。

中诺新材是专业的靶材制造商，我们可以提供半导体晶圆制造和先进封装用的4-12寸各种靶材，纯度及用途如下：

另外我公司可根据客户需求定制生产不同的晶粒晶向的靶材，能够和客户一起开发特制的各种类型的靶材。