硫化铟（In₂S₃）靶材是一种重要的n型半导体靶材，通过磁控溅射、脉冲激光沉积（PLD）等工艺成膜后，凭借2.0–2.8 eV的可调带隙、高可见光透过率、优异光电响应、无毒环保、化学稳定性强、低温成膜适配性好等核心特性，在薄膜光伏、光电探测、光电子显示、传感、储能、光催化等领域应用广泛，尤其作为无镉环保缓冲层成为光伏行业的关键替代材料。

硫化铋（Bi₂S₃）靶材是一种重要的窄带隙半导体靶材，通过磁控溅射、脉冲激光沉积（PLD）等工艺沉积成膜后，凭借1.3–1.7 eV的窄带隙、高可见光-近红外吸收率、优异光电响应、良好热电/压电特性、环境友好无毒、化学稳定性佳等核心优势，在光伏、光电探测、热电转换、传感、储能、光催化等领域应用广泛，尤其在低成本、环保型光电器件领域展现出巨大潜力。

氮化锆（ZrN）靶材凭借高硬度、高熔点（约2980℃）、优异耐腐蚀性、良好导电性、金黄色金属光泽、化学稳定性强等核心特性，通过磁控溅射等工艺成膜后，在半导体微电子、耐磨防护、新能源、生物医疗、装饰等领域应用广泛，尤其在高温、强腐蚀、高耐磨的严苛工况中表现突出，是兼具硬质防护与导电功能的关键靶材。

氮化钒（VN）靶材凭借高硬度、高熔点（约2320℃）、优异导电性、良好化学稳定性、耐磨耐腐蚀等核心特性，通过磁控溅射等工艺沉积成膜后，在半导体微电子、耐磨防护、新能源、光电子、生物医疗等领域应用广泛，是兼具导电与硬质防护双重优势的关键靶材，尤其在高温、高负载、高导电需求场景中表现突出。

氮化钛（TiN）靶材凭借高硬度、高熔点（2950℃）、优异导电性、良好化学稳定性、金黄色金属光泽等核心特性，通过磁控溅射等工艺沉积成膜后，在半导体、耐磨防护、电子显示、新能源、生物医疗、装饰等领域应用极广，是工业界应用最成熟、最广泛的硬质陶瓷靶材之一。

氮化钽（TaN）靶材凭借高熔点（3090℃）、高硬度、优异导电性、接近零的电阻温度系数、良好化学稳定性和热稳定性等特性，通过磁控溅射等PVD技术沉积成膜，在半导体、电子元件、耐磨涂层、光电子、新能源等领域应用广泛，是先进电子制造与高端工业的关键材料之一。

氮化硅靶材是一种重要的无机非金属溅射靶材，凭借其高纯度、高硬度、高介电常数、良好的化学稳定性和热稳定性等优异特性，在半导体、光电子、机械工业、新能源、生物医疗等多个领域应用广泛。

氮化铌靶材(NbN)凭借超导转变温度、高临界磁场、高临界电流密度、高硬度、优异耐磨性与化学稳定性等特性，通过磁控溅射等PVD技术沉积薄膜，在超导电子学、量子信息、半导体、光学、医疗、航空航天及涂层技术等前沿领域发挥关键作用。

氮化铪（HfN）靶材依托超高硬度、超高熔点（约3380℃）、优异的高温耐磨性/耐腐蚀性/抗热震性，同时兼具良好的导电性、化学惰性，以及与硅、碳化硅等半导体衬底的优异相容性，是高端硬质涂层和半导体先进制程的核心配套靶材。

氮化镓靶材是第三代宽禁带半导体的核心配套靶材之一，依托氮化镓（GaN）宽禁带、高电子迁移率、高击穿电场、耐高温、抗辐射、化学稳定性优异的特性，主要通过磁控溅射、分子束外延（MBE）等薄膜沉积技术制备氮化镓薄膜/外延层，是制作高性能氮化镓基光电子、射频、功率半导体器件的关键原料，对靶材的纯度（超高纯6N/7N级）、致密度、成分均匀性要求极高，核心应用集中在半导体照明、5G/6G通信、新能源、光电子探测等高端领域，也是目前半导体靶材中技术附加值较高的品类之一。