铌酸锂膜层的制备方法主要包括以下几种：

一、溶胶-凝胶法

溶胶-凝胶法是一种常用的制备铌酸锂薄膜的方法。其步骤主要包括：

1.制备溶胶：将适量的铌酸锂盐溶解在有机溶剂中，如乙醇、丙酮等，通过溶解、水解等一系列操作使其形成溶胶。溶胶中的铌酸锂盐分子逐渐聚集形成胶体粒子。

2.凝胶形成：通过加热、搅拌等方法使溶胶中的有机溶剂逐渐蒸发，胶体粒子逐渐接近并形成凝胶。

3.凝胶成膜：将凝胶涂覆在基底上，通过旋涂、喷涂、甩胶、提拉等方法形成薄膜。凝胶成膜后，通过烘干、烧结等过程，使薄膜中的有机成分完全脱除，并提高薄膜的致密度和结晶度。

溶胶凝胶法制备薄膜的成分容易控制，不易挥发和损失，形成的薄膜中各种元素化学计量比能很好保持，而且可以制备大面积的薄膜。但需要注意的是，溶胶凝胶法制备的薄膜表面容易开裂，且过程比较复杂。

二、溅射法

溅射法也是制备铌酸锂薄膜的一种重要方法，包括磁控溅射法和离子束溅射法等。溅射法是通过高能粒子轰击靶材，使靶材表面的原子或分子被溅射出来并沉积在基底上形成薄膜。溅射法制备的薄膜质量较高，且可以控制薄膜的厚度和成分。

三、金属有机化学气相沉积法（MOCVD）

金属有机化学气相沉积法是一种在气相中通过化学反应生成薄膜的方法。在制备铌酸锂薄膜时，通常使用含有铌和锂的金属有机化合物作为前驱体，通过载气将其输送到反应室中，在适当的温度和压力下发生化学反应，生成铌酸锂薄膜并沉积在基底上。MOCVD法制备的薄膜具有高质量、大面积和均匀性好等优点。

四、离子注入法

离子注入法是一种革命性的制备单晶铌酸锂薄膜的方法。该方法通过注入氢离子到铌酸锂或钽酸锂单晶中，然后利用化学键合技术将薄膜从衬底上剥离下来，得到单晶铌酸锂薄膜。离子注入法制备的薄膜质量高，且可以实现大面积、均匀的单晶薄膜制备。

除了以上几种方法外，还有外延生长法、减薄抛光体材料法等其他制备方法。在实际应用中，可以根据具体需求和实验条件选择合适的制备方法。同时，随着材料科学和制备技术的不断发展，新的制备方法也将不断涌现，为铌酸锂薄膜的制备提供更多选择。