1、磁控溅射法

磁控溅射法[18]是通过电子起辉辉光放电、来轰击靶材从而使得靶材上的原子脱落并运动到基片表面实现原子沉积，最后通过热处理结晶得到所需的PZT薄膜材料。该方法的优点是薄膜在真空腔内生长，污染物少且成分均匀。

2、水热合成法

水热合成法[19-20]就是将PZT原料的溶液或者悬浊液置于可控制温度和压强的密闭容器中，通过控制容器内的温度和压强使得原料溶解反应并最终重结晶为PZT的方法。水热合成法的优点是反应温度低，与基底结合力好，且不易产生裂纹。

3、脉冲激光沉积法

脉冲激光沉积法[21]就是利用激光产生的高能量融解靶材，使材料从靶材上脱落。脱落的靶材材料会有向基底运动的趋势，在融化后的材料到达基底后，与基底形成碰撞区，并最终沉积在基底上的过程。该方法由于在真空中完成，因此污染少，组分稳定。

4、化学气相沉积法

化学气相沉积法[22]是利用物理方法使得原材料处于气态从而吸附在基底上进行反应，反应产生的副产物则脱离基底，从而实现薄膜的生长。该方法的优点是制备成本低，反应所需温度低。

5、分子束外延生长法

分子束外延生长法[23]是指在非常高的真空条件下，将所需要的组分的热分子或原子束喷射到高温衬底上，从而沉积得到所需薄膜的外延工艺。该方法的好处是能够严格控制薄膜的生长速率及组分，制备工艺可在较低温度下进行。

6、电液雾化沉积

电液雾化沉积[24]是将PZT块材材经过研磨后与PZT溶胶进行混合，然后用雾化喷射装置将其喷射在基底上，并在每一层喷射后进行去除水分和有机物，最后高温结晶的工艺制备PZT压电厚膜。该方法的优点是可以制备厚度到10微米以上的厚膜，得到良好的压电性能。

7、溶胶凝胶法

溶胶凝胶法[25]首先需要制备PZT前驱液，对前驱液进行去水分，去有机物和高温结晶后得到PZT薄膜的方法。溶胶凝胶法具有制备成本低，周期短，易于控制其组分和晶向而被广泛采用。

8、新型溶胶凝胶法

新型溶胶凝胶法[27]是将PZT粉体或者PZT溶胶溶液混合后旋涂，热处理得到PZT厚膜的工艺。该方法制备得到的PZT厚膜具有良好的压电性，且成本低。