真空镀膜技术简称PVD，在真空条件下，采用物理方法，使材料源表面气化成原子、分子或离子，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。真空镀膜设备镀膜技术主要分为蒸镀、溅射和离子镀三大类。而蒸发镀膜技术也分为三种，电阻蒸发，电子束蒸发，感应加热蒸发。

电阻蒸发镀膜技术采用电阻加热蒸发源的蒸发镀膜技术，一般用于蒸发低熔点材料，如铝、金、银、硫化锌、氟化镁、三氧化二铬等；加热电阻一般采用钨、钼、钽等。奇优点，结构简单，成本低。缺点材料易与坩埚反应，影响薄膜纯度，不能蒸镀高熔点的介电薄膜；蒸发率低。

电子束蒸发，利用高速电子束加热使材料汽化蒸发，在基片表面凝结成膜的技术。电子束热源的能量密度可达104-109w/cm2，可达到3000℃以上，可蒸发高熔点的金属或介电材料如钨、钼、锗、SiO2、AL2O3等。

电子束加热的蒸镀源有直枪型电子枪和e型电子枪两种(也有环行)，电子束自源发出，用磁场线圈使电子束聚焦和偏转，对膜料进行轰击和加热。其优点可蒸发任何材料，薄膜纯度高，直接作用于材料表面，热效率高。缺点电子枪结构复杂，造价高，化合物沉积时易分解，化学比失调。

感应加热蒸发，利用高频电磁场感应加热，使材料汽化蒸发在基片表面凝结成膜的技术。其优点蒸发速率大，可比电阻蒸发源大10倍左右，蒸发源的温度稳定，不易产生飞溅现象，坩埚温度较低，坩埚材料对膜导污染较少。其缺点蒸发装置必须屏蔽，造价高、设备复杂。

发真空镀膜设备这三种蒸发镀膜技术虽然原理都是一样，都是通过高温蒸发材质汽化的方式镀膜，但是所应用的环境却不一样，镀的膜材和基材也有不同的要求。

磁控溅射镀膜优势介绍

真空镀膜设备镀膜技术大方向来分有三种，蒸发镀膜技术，离子镀膜技术，磁控溅射镀膜设备，每种镀膜技术都有各自的优缺点，镀制不同的基材，不同的靶材，选择的镀膜技术是不相同的。

磁控溅射工艺的主要优点是可以使用反应性或非反应性镀膜工艺来沉积这些材料的膜层，并且可以很好地控制膜层成分、膜厚、膜厚均匀性和膜层机械性能等，因此市面上镀制膜层，对膜层要求比较高，几乎都采用磁控溅射镀膜技术来实现。磁控溅射镀膜技术有一下几点优势。

1.沉积速率大。由于采用高速磁控电极，可获得的离子流很大，有效提高了此工艺镀膜过程的沉积速率和溅射速率。与其它溅射镀膜工艺相比，磁控溅射的产能高、产量大、于各类工业生产中得到广泛应用。

2.功率效率高。磁控溅射靶一般选择200V-1000V范围之内的电压，通常为600V，因为600V的电压刚好处在功率效率的最高有效范围之内。

溅射能量低。磁控靶电压施加较低，磁场将等离子体约束在阴极附近，可防止较高能量的带电粒子入射到基材上。

3.基片温度低。可利用阳极导走放电时产生的电子，而不必借助基材支架接地来完成，可以有效减少电子轰击基材，因而基材的温度较低，非常适合一些不太耐高温的塑料基材镀膜。

磁控溅射靶表面不均匀刻蚀。磁控溅射靶表面刻蚀不均是由靶磁场不均所导致，靶的局部位置刻蚀速率较大，使靶材有效利用率较低（仅20％-30％的利用率）。因此，想要提高靶材利用率，需要通过一定手段将磁场分布改变，或者利用磁铁在阴极中移动，也可提高靶材利用率。

4.复合靶。可制作复合靶镀合金膜，目前，采用复合磁控靶溅射工艺已成功镀上了Ta-Ti合金、（Tb-Dy）-Fe以及Gb-Co合金膜。复合靶的结构有四种，分别是圆块镶嵌靶、方块镶嵌靶、小方块镶嵌靶以及扇形镶嵌靶，其中以扇形镶嵌靶结构的使用效果为佳。

5.应用范围广。磁控溅射工艺可沉积元素有很多，常见的有：Ag、Au、C、Co、Cu、Fe、Ge、Mo、Nb、Ni、Os、Cr、Pd、Pt、Re、Rh、Si、Ta、Ti、Zr、SiO、AlO、GaAs、U、W、SnO等。