优点：

1.靶材粒子能量高（比热蒸发高出1个数量级）所制备膜层更致密，与基板结合力更高，

2.一般备有辅助离子源，可以用来清洗基板，清洗效果好，

3.易于制备熔点高的材料，

4.制备合金膜层，可以保证膜层材料比例与靶材相5.由于装有中和器，也可以用来制备绝缘膜层

缺点：

1.一般镀膜速率较慢，几十埃每秒

2.离子源清理和中和器灯丝更换较频繁

3.不适宜制备较大面积薄膜