400-198-8600
III-V族化合物的表示式为A(III)B(V)，如BN，BP，BAs，BSb，AlN，AlP，AlAs，AlSb，GaN，GaP，GaAs，GaSb，InAs，InN，InP和InSb。其中BN，AlN，GaN和InN是纤维锌矿结构，其余十二种为闪锌矿结构。
液封直拉法(LEC)
高压液封直拉法(HPLEC)
水平区熔法(HB)
垂直梯度凝固法(VGF)
液相外延(LPE)
气相外延(VPE)
分子束外延(MBE)
化学束外延(LBE)
金属有机化合物化学
光电子器件
光电集成
超高速微电子器件
超高频微波器件
电路
作为III-V族氮化物的代表，GaN是一种十分优异的直接宽禁带半导体材料，其输运性能不亚于GaAs，而且用其制作的GaN基微波功率器件在功率密度输出方面往往优于现有的其它半导体材料。
了解更多氮化铝(AlN)是Ⅲ-Ⅴ族共价化合物，AlN呈现出许多有用的机械、热和光的性能。目前，大多数成膜方法都已应用于AlN薄膜的制备。其中比较成熟的主要有CVD、MBE、PACVD、LCVD、MOCVD、PLD、MRS和离子注入法等。
了解更多氮化硼， 化学式为 BN， 有别称“白石墨” ， 是一种性能优异并有很大发展潜力的新型陶瓷材料，常说的氮化硼一般指的是立方氮化硼或六方氮化硼。对于 h-BN 原子层薄膜， 制备方法主要采用化学沉积法（CVD、 LPCVD、 PECVD）和物理气相沉积法（磁控溅射、离子束辅助沉积、蒸发法）两种。
了解更多磷化铟（InP）作为一种重要的皿一V族化合物半导体材料，具有直接跃迁型能带结构、禁带宽度较宽，光电转换效率较高，电子迁移率高、抗辐射能力较强。磷化铟（InP）纳米材料的制备方法可以分为两大类,即气相法和液相法。
了解更多锑化镓是III-V族化合物半导体，属于闪锌矿、直接带隙材料，其禁带宽度为0.725eV（300K），晶格常数为0.60959nm。GaSb材料是窄禁带半导体材料，可用于制备吸收红外光（780nm～4000nm）转变为电能的热光伏电池。制作光谱范围在2～5μm的光电子器件，该类光电子器件可应用于光纤通信、激光测距、光敏探测等各种工程领域。
了解更多锑化铟(InSb)是一种直接窄禁带半导体，可以制作高效快速发光材料。相对其他III-V族化合物材料，InSb拥有最大的电子迁移率。主要应用于红外探测领域，此外其在磁敏器件方面也有所涉及。如天文观测、精确制导、弹道导弹防御、搜索与跟踪、红外成像、集成探测等。
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