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[公告] ITO溅射靶材生产工艺及参数介绍

一、ITO靶材的常规参数

    产品名称:铟锡氧化物(ITO)靶材
    纯度:4N(99.99%)

    常规配比:In2O3:SnO2=90:10 wt%,95:5 wt%

    用途:平板显示器、防辐射玻璃、太阳能电池等

    相对密度:>99%

    失氧率:<2%

    抗折强度:125MPa

    电阻率:≤0.25mΩ·cm

    线膨胀系数:5×10-6K-1

    相结构:单一In2O3相
    形状规格:在300×300mm×5~10mm尺寸内按用户要求订购,片状

    颜色:灰黑色
    包装:铝箔袋真空包装

二、溅射靶材ITO靶材的生产工艺

    ITO靶材的生产工艺可以分为3种:热等静压法(HIP)、溅射靶材热压法(HP)和气氛烧结法。各种生产工艺及其特点简介如下:   

    1.热等静压法
    ITO靶材的热等静压制作过程是将粉末或预先成形的胚体,在800℃~1400℃及1000kgf/cm 2~2000kgf/cm 2的压力下等方加压烧结。热等静压工艺制造产品密度高、物理机械性能好,但设备投入高,生产成本高,产品的缺氧率高。
    2.热压法
    ITO靶材的热压制作过程是在石墨或氧化铝制的模具内充填入适当粉末以后,以 100kgf/cm 2~1000kgf/cm 2的压力单轴向加压,同时以1000℃~1600℃进行烧结。热压工艺制作过程所需的成型压力较小,烧结温度较低,烧结时间较短。但热压法生产的ITO靶材由于缺氧率高,氧含量分布不均匀,从而影响了生产ITO薄膜的均匀性,且不能生产大尺寸的靶。

    3.烧结法

    ITO靶材烧结制作法是在以铟锡氧化物共沉淀粉末或氧化铟和氧化锡混合粉末为原料,加入粘结剂和分散剂混合后,压力成型,脱脂,然后于1400℃---1600℃烧结。烧结法设备投入少,成本低,产品密度高、缺氧率低,尺寸大、但制造过程中对粉末的选择性很强。

ITO靶制备的透明导电薄膜广泛应用于数码相机、投影电视、数码显示的各种光学系统中,全球需求量都很大。